I. 電力模組外殼
電源模組外殼主要由塑料和金屬組件組成,提供機械支撐並促進電源模組在更大系統中的整合。
電源模組是提供電力給半導體器件的基本電路元件,同時提供高效的冷卻和與外部電路的連接。這些模組在機械和熱方面進行了優化,以便於裝配並提高運行的可靠性。常見的結構包括絕緣門雙極型晶體管(IGBT)、碳化矽(SiC)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和氮化鎵(GaN)模組。選擇取決於功率範圍和操作頻率。電源模組製造商設計這些元件以滿足各種應用的特定需求,從消費電子到可再生能源系統。一些世界上最知名的功率電子 OEM 供應商信賴 Layana 公司製造電源模組外殼,也稱為電源模組罩、電源模組殼體、電源模組盒、電源模組蓋、電源模組容器甚至電源模組單元,用於 IGBT、SiC、MOSFET 和 GaN 模組,包括在 埋入射出 期間埋入的零件,此外還包括基板等其他組件。
注意:此表僅供參考,因為它提供了標準和類型的簡化概述。Layana 提供此信息作為一般指南。需要進行全面的專業評估,以確定哪種類型的電源模組最適合您的項目特定需求。
在功率電子領域,SiC、MOSFET、GaN 和 IGBT 模組各自具有獨特的特性,使其適用於不同的應用場景,並在性能、效率和熱特性方面存在明顯差異。
SiC(碳化矽)模組就像保持高速且燃油高效的跑車,具有非常高的導電效率和熱性能。它們表現出低能量損失,非常適合在穩定運行期間實現高效性能。此外,SiC 模組具有優異的熱導率,能夠承受高達 200°C 甚至更高的溫度,允許它們在高溫環境中可靠運行。這使得它們非常適合高功率和高效率應用,如電動車和工業設備。
MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)模組可以比作非常快速加速的汽車,在需要快速啟停操作的場景中表現出色。MOSFET 具有低切換損耗和高效率,特別適用於低到中頻率應用,如 DC-DC 轉換器和電源管理模組。然而,它們的熱導率較低,僅能承受高達約 175°C 的溫度,使其在高溫應用中相比 SiC 或 GaN 稍顯不穩定。MOSFET 技術成熟,且成本相對較低,使其成為許多中等功率和頻率應用的理想選擇。
GaN(氮化鎵)模組就像能夠快速反應且非常靈活的高性能賽車。它們具有極低的切換損耗和非常快的切換速度,使其在高頻切換中有效。因此,GaN 模組在高頻應用中表現出色,如無線充電、高頻電源和 RF 放大器。此外,GaN 模組提供高效率和出色的熱特性,允許它們在高達 200°C 的溫度下運行。它們還非常適合電源模組的迷你化,適應空間受限的設備如消費電子產品。這些特性使得 GaN 模組在需要高性能和高功率密度的應用中具有高度競爭力。
IGBT(絕緣門雙極型晶體管)模組可以比作提供穩定性能和適度效率的長途卡車。它們具有較高的切換損耗,但在持續大電流導通(導通狀態)期間非常有效,使其適用於涉及高電流和低切換頻率的應用,如工業驅動和大型電源。IGBT 模組的效率適中,熱性能一般,但在需要穩定運行的大功率應用中仍然扮演著不可或缺的角色。
總結
以 IGBT 為例,相關應用如下:
特別是 IGBT 模組是現代功率電子系統中的關鍵組件,設計用於高電流和高電壓的高效處理。了解什麼是電源模組及其關鍵組件對於有效整合電源模組和開發全面的電源模組解決方案至關重要。
以 IGBT 為例,電源模組的結構如下:
電源模組外殼主要由塑料和金屬組件組成,提供機械支撐並促進電源模組在更大系統中的整合。
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項目/類型 | 立式塑膠射出機台 | 卧式塑膠射出機台 |
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噸數範圍 | 35噸~250噸 | 60噸至200噸 |
最大 產品尺寸 |
英寸: 8.5 x 11 x 6 毫米: 216 x 279 x 150 |
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最大 產品重量 |
0.1g~500g | |
精度 |
模具: ± 0.005mm 產品: ± 0.03~0.05mm |
整合我們在組裝、埋入射出和金屬沖壓方面的專業知識,Layana 為客戶提供全面的電源模組解決方案,滿足全球領先的功率電子行業公司的需求。尤其是隨著全球對新能源、電動車和智能設備的需求不斷增長,電源模組市場正迎來前所未有的機遇。Layana 將保持在技術發展的前沿,投入更多資源於研究和開發高效、可靠和節能的產品,以滿足我們客戶不斷演變的需求。
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